[发明专利]硅基太赫兹金属波导工艺可靠性测试装置及其测试方法在审
| 申请号： | 202110041962.1 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112881469A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杨瑾屏;李升;宋艳汝;李琪;朱忠博;刘志 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊;柏子雵 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种通过测量金属波导直流电阻低频噪声的方式检验硅基太赫兹金属波导工艺可靠性的测试装置和测试方法。所述测试装置采用四线法直流电阻测量原理，其电路主要由直流电源，限流电阻，硅基太赫兹金属波导，前置放大器，模拟数字变换器(ADC)组成。本发明通过制备分别包含溅射、刻蚀和共晶键合工艺步骤的硅基金属波导结构模板，并对测得的低频噪声进行功率谱密度归一化和噪声参数的曲线拟合。实现了对硅基太赫兹波导结构的低频背景噪声，薄膜溅射工艺低频噪声，深硅刻蚀工艺低频噪声，共晶键合工艺低频噪声进行定量分析。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基太 赫兹 金属 波导 工艺 可靠性 测试 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
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