[发明专利]一种忆阻器交叉阵列有效
| 申请号： | 202110044218.7 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112885963B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 梁峰;张洁;李冰;张国和 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苟冬梅 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种忆阻器交叉阵列，包括：忆阻器基本单元，控制导线；所述忆阻器基本单元包括：忆阻器、MOS管；所述控制导线包括：横向的字线、纵向的位线、MOS管栅极控制线；所述字线作为所述忆阻器交叉阵列的激励电压输入端；其中，奇数行的字线输入的激励电压从所述忆阻器交叉阵列的一侧输入，偶数行的字线输入的激励电压从所述忆阻器交叉阵列的另一侧输入，在每一列忆阻器的电导相同的条件下，所述忆阻器交叉阵列每一列位线最终输出的电流相等或相近。本发明实施例提供的忆阻器交叉阵列，使每一列受到的线寄生电阻影响相似，避免了线寄生电阻影响的累加，各列位线最终输出的电流更加接近，减少了线寄生电阻对阵列的计算准确度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 交叉 阵列 | ||
【主权项】：
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