[发明专利]微结构及其图案化的方法与微机电系统器件在审
| 申请号： | 202110044447.9 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN113437044A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 谢元智;王怡人;林宏桦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768;H01L41/08;H01L41/09;H01L41/18;H01L41/22;H01L41/35;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 能够通过在衬底上方形成例如钼层的金属层而提供一种微结构。在金属层的顶部表面上形成氮化铝层。通过氧化将氮化铝层的表面部分转化成连续含氧化铝层。能够在连续含氧化铝层上方形成介电间隔物层。能够使用刻蚀工艺来形成延伸穿过介电间隔物层、连续含氧化铝层以及氮化铝层以及向下延伸到至少一个金属层的相应部分的接触通孔腔，所述刻蚀工艺含有湿式刻蚀步骤同时抑制在氮化铝层中形成底切。能够在接触通孔腔中形成接触通孔结构。微结构能够包含含有压电换能器的微机电系统(MEMS)器件。 | ||
| 搜索关键词： | 微结构 及其 图案 方法 微机 系统 器件 | ||
【主权项】：
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