[发明专利]锥形半导体激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 202110045443.2 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114765341A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 曼玉选;仲莉;马骁宇;刘素平;井红旗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/042;H01S5/10;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种锥形半导体激光器，包括：衬底；依次覆盖于衬底表面的N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层和P型刻蚀阻挡层；N型反型层，覆盖于P型刻蚀阻挡层表面，N型反型层中间开设有凹陷且使P型刻蚀阻挡层暴露的脊形单模区和锥形放大区，锥形放大区与脊形单模区相连且沿背离脊形单模区方向的宽度逐渐增大；P型限制层，覆盖于N型反型层表面，P型限制层上靠近N型反型层一侧设有与N型反型层的凹陷侧面和凹陷底面匹配的脊形凸台结构；欧姆接触层，覆盖于P型限制层表面；P面电极和N面电极。本发明还提供了该锥形半导体激光器的制作方法。本发明可明显减少光刻和刻蚀工艺次数，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 锥形 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110045443.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电连接器、连接器组合和制造电连接器的方法
- 下一篇：电连接器和连接器组合
