[发明专利]镀制SiO2或Al2O3材质的介质膜的锑碱光电阴极及镀制方法有效

专利信息
申请号: 202110047289.2 申请日: 2021-01-14
公开(公告)号: CN112885683B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 李晓峰;钟梓源;李廷涛;潘治云;张俊;杨振;常乐;赵恒;杨琼连;张彦云 申请(专利权)人: 北方夜视技术股份有限公司
主分类号: H01J29/04 分类号: H01J29/04;H01J9/12;H01J31/50;C23C14/30;C23C14/08;C23C14/10
代理公司: 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 代理人: 赛晓刚
地址: 650217*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开了一种镀制SiO2或Al2O3材质的介质膜的锑碱光电阴极及镀制方法,用于消除防光晕视觉玻璃中有害成分对锑碱光电阴极结构的破坏而导致的阴极灵敏度衰退的问题。所述锑碱光电阴极包括AVG输入窗、锑碱光电阴极、微通道板、阳极铝膜、荧光屏及阳极输出面板,在AVG输入窗的内表面与锑碱光电阴极之间镀制一层均匀且致密的SiO2或Al2O3材质的介质膜,使得AVG输入窗的内表面、介质膜以及锑碱光电阴极连为一体。本发明的方法包括镀膜前准备、对真空反应腔抽真空、进行靶材除气、向真空反应腔通入氩气、镀制膜层、取出工件等步骤。本发明能够消除AVG中有害成分对锑碱光电阴极破坏的现象,有效提高锑碱光电阴极的稳定性,满足使用要求。
搜索关键词: 镀制 sio2 al2o3 材质 介质 光电 阴极 方法
【主权项】:
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