[发明专利]半导体装置的形成方法及半导体装置在审
| 申请号： | 202110047525.0 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113135549A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 吕文雄;黄晖闵;郑明达;林威宏;颜晨恩;刘旭伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;H01L33/48;H01L25/075 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法及半导体装置。半导体装置的形成方法包含将第一半导体基板的第一表面接合至第二半导体基板的第一表面，且在第一半导体基板的第一区中形成一空腔，其中形成空腔包括：供应钝化气体混合物，在空腔的底表面及多个侧壁上沉积钝化层，其中在钝化层的沉积时，钝化层在空腔的底表面上的沉积速率与钝化层在空腔的多个侧壁上的沉积速率相同；以及使用蚀刻气体蚀刻第一半导体基板的第一区，其中蚀刻气体是与钝化气体混合物同时供应，蚀刻第一半导体基板的第一区包括在垂直方向蚀刻的速率大于在水平方向蚀刻的速率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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