[发明专利]一种GaInP/GaAs/AlGaSb三结级联太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 202110047703.X | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112885921B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 严威 | 申请（专利权）人： | 常州信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州西创专利代理事务所(普通合伙) 32472 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 213164 江苏省常州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaInP/GaAs/AlGaSb三结级联太阳电池及其制备方法。该三结级联太阳电池包括与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池以及AlGaSb单结电池，通过生长GaAs/AlGaSb间90°失配位错量子点阵列将与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和AlGaSb单结电池串联在一起，形成GaInP/GaAs/AlGaSb三结太阳电池。该三结电池设计简单且可获得穿透位错密度较低的电池材料，即可有效提高三结太阳电池的光电转换效率；另一方面该三结太阳电池厚度远远小于目前的电池，即减少原材料的使用，可以大大降低电池成本并广泛应用在民用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gainp gaas algasb 级联 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
