[发明专利]锡酸镉薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202110048126.6 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112877664A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 汤惠淋;任丽;朱刘;宋世金 | 申请（专利权）人： | 广东先导稀材股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 511500 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种锡酸镉薄膜的制备方法，包括步骤：步骤一，将CTO单靶材安装于靶位上；步骤二，将玻璃衬底置于磁控溅射室的衬底托盘上；步骤三，对腔室抽真空；步骤四，对衬底托盘加热；步骤五，通入氩气，设置腔室压强；步骤六，设定溅射功率和衬底转盘的转速；步骤七，将CTO预溅射10min后，开始正式溅射，得到CTO薄膜。本公开通过磁控溅射单靶溅射，相比采用多靶材溅射，操作简单，从而CTO薄膜的制备得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 锡酸镉 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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