[发明专利]一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法有效
| 申请号： | 202110048542.6 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112881485B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王霄;陈国强;敖金平;何悦;王婷婷;徐杨;彭韬玮 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 金艳婷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法，包括由下至上依次设置衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、AlN层、本征AlGaN层，所述本征AlGaN层上并列设置有p‑GaN层、源极和漏极，p‑GaN层上设置有栅极，栅极上设置有金单质层，金单质层上附着有有机官能团；有机官能团为在常温常压且pH值为5～9条件下和次氯酸发生反应且反应前后存在极性或电负性差异的化合物。本发明使用有机官能团作为次氯酸根检测探头并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕捉有机官能团和次氯酸根反应产生的电位变化；使用p‑GaN层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免通电对次氯酸根测量准确性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 次氯酸 gan 传感器 方法 | ||
【主权项】：
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