[发明专利]氮化镓层及其同质外延生长方法在审
| 申请号： | 202110048565.7 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112820633A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 罗晓菊;王颖慧;特洛伊·乔纳森·贝克 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请具体涉及一种氮化镓层及其同质外延生长方法，包括：提供氮化镓衬底，氮化镓衬底的晶面为C晶面，或氮化镓衬底的晶面为与C晶面呈偏角α的晶面；对氮化镓衬底的边缘进行处理，以使得氮化镓衬底的边缘暴露出(1‑101)面；于氮化镓衬底的表面进行同质外延，以得到同质外延生长的氮化镓层。上述实施例中的氮化镓层的同质外延生长方法可以避免翼晶的形成，进而避免由于氮化镓衬底边缘外延生长的氮化镓层与氮化镓衬底表面外延生长的氮化镓层之间存在较大的应力及弹性变形而形成的微裂片、破片及凹坑，降低了外延生长的氮化镓层中的位错密度，提高了外延生长的氮化镓层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 及其 同质 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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