[发明专利]一种水平电子诱导非晶碳膜低摩擦磨损的方法有效
| 申请号： | 202110051011.2 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112875676B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 范雪;杨智涛;刁东风 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C01B32/05 | 分类号： | C01B32/05;C01B32/184;C09K3/14;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 谢松 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种水平电子诱导非晶碳膜低摩擦磨损的方法，包括：采用摩擦件在非晶碳膜的表面进行摩擦运动；在所述摩擦运动过程中，对所述非晶碳膜施加平行于所述非晶碳膜的表面的电场，以降低所述非晶碳膜的摩擦磨损；其中，所述摩擦运动的方向具有平行于所述电场的方向的分向量。通过对非晶碳膜施加平行于其表面的电场，并在非晶碳膜表面进行摩擦运动，使得非晶碳膜表面的磨痕区形成少量石墨烯纳晶，磨痕区电阻降低、导电性增加，从而电子汇聚到磨痕区形成大片并且与摩擦方向平行的石墨烯纳晶，磨痕区的摩擦系数降低了一个数量级，同时其低摩擦特性的维持时间较长，具有良好的耐磨性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水平 电子 诱导 非晶碳膜低 摩擦 磨损 方法 | ||
【主权项】：
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