[发明专利]一种晶圆切割方法在审
| 申请号： | 202110051014.6 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112885720A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 殷泽安 | 申请（专利权）人： | 江西译码半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/03;B23K26/38 |
| 代理公司： | 深圳华奇信诺专利代理事务所(特殊普通合伙) 44328 | 代理人： | 陈子勋 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市小*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶圆切割技术领域，特指一种晶圆切割方法；本发明是将晶圆背面朝上放置在工作台上，激光切割头从晶圆背面向正面切割，再通过扩晶机扩晶分离；本发明通过改变激光切割的方向，再配合扩晶机加工，就可以实现晶圆快速切割的效果，同时保证产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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