[发明专利]化学机械研磨方法有效
| 申请号： | 202110051576.0 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112366134B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈笋弘;白向阳;程建秀;曾盟善;王松 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种化学机械研磨方法，首先根据测试层的第一外围区域的厚度与第一中心区域的厚度预设产品层工艺条件，然后根据预设的产品层工艺条件在产品晶圆上形成产品层，所述测试层的第一外围区域的厚度等于第一中心区域的厚度时则所述产品层的第二外围区域的厚度等于第二中心区域的厚度，所述测试层的第一外围区域的厚度小于第一中心区域的厚度时则所述产品层的第二外围区域的厚度大于第二中心区域的厚度，所述测试层的第一外围区域的厚度大于第一中心区域的厚度时则所述产品层的第二外围区域的厚度小于第二中心区域的厚度，如此，在对所述产品层执行化学机械研磨工艺时，能够抵消化学机械研磨的速率偏差，从而能够提高产品层的表面均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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