[发明专利]导电互连件和形成导电互连件的方法在审
| 申请号： | 202110052889.8 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113257736A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | R·艾哈迈德;F·斯佩蒂延斯;D·S·米勒;S·N·S·查拉马拉塞蒂;D·普拉特;胡怡;宋勇达;A·K·保谢尔;A·R·吉布森 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及导电互连件和形成导电互连件的方法。一些实施例包含一种形成集成式组合件的方法。形成包含延伸穿过绝缘块体的导电柱的布置。使所述导电柱的上表面凹入以形成腔。在所述腔内形成绝缘衬圈以为所述腔的外部横向周边加衬。所述导电柱的凹入表面在所述经加衬腔的底部暴露。在所述绝缘块体上方形成导电阔区。所述导电阔区的一部分延伸到所述腔中并且配置为互连件。将所述导电阔区图案化成多个导电结构。所述导电结构中的一个包含所述互连件。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 互连 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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