[发明专利]形成半导体器件和电路的方法在审
| 申请号： | 202110052910.4 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113342101A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | M·波泽姆尼 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 彭晓文 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种形成半导体器件和电路的方法。在一个实施方案中，稳压器电路包括第一回路，该第一回路形成基本上不响应于输出电压而变化的参考信号，参考电路还被配置为形成表示参考信号的变化的控制信号。一个实施方案还可包括第二回路，该第二回路被配置为根据控制信号形成输出晶体管的控制电极的值，并且其中输出电路被配置为根据输出电压和参考信号之间的差值来改变控制电极的值。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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