[发明专利]一种用于碳化硅MOSFET开关瞬态过程频域分析的脉冲分解方法在审
| 申请号： | 202110053099.1 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113054956A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 施博辰;赵争鸣;朱义诚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H03K5/14 | 分类号： | H03K5/14 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET开关瞬态过程频域分析的脉冲分解方法，首先将碳化硅MOSFET开关瞬态过程的电磁脉冲分解为标准脉冲、调制脉冲、死区‑延迟脉冲、上升‑下降脉冲和振荡脉冲五个基本脉冲的组合，然后利用傅立叶分解的线性性质，得到碳化硅MOSFET开关瞬态过程电磁脉冲的频域解析表达式，从而为研究碳化硅MOSFET开关瞬态过程的频域特性提供了一种分析方法。本发明所述脉冲分解方法，解决了碳化硅MOSFET开关瞬态过程机理和数学形式复杂、难以进行频域分析的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 mosfet 开关 瞬态 过程 分析 脉冲 分解 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110053099.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
