[发明专利]一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置有效
| 申请号： | 202110053132.0 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112885698B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 莫维伟 | 申请（专利权）人： | 苏州赛莱德自动化科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 杭州君和专利代理事务所(特殊普通合伙) 33442 | 代理人： | 包雪雷 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，包括刻蚀箱、激励线圈、偏压提供装置、放置台、气体注入组件和气体排出组件，刻蚀箱的底部设置放置座，放置座的上部呈锥形，放置台以放置座的顶点为中心分布在放置座的锥形表面上，放置台倾斜设置，刻蚀箱内设置有弧形闭合板，放置台用于承载硅晶片，且放置台位于弧形闭合板的正下方，气体注入组件用于向刻蚀箱内部通入刻蚀气体，气体排出组件包括气体排出口和惰性气体下部注入通道，惰性气体下部注入通道用于向刻蚀箱内部通入惰性气体，通过惰性气体的流动带动反应产物一起流动，最终从气体排出口处排出，可实现反应产物的快速流出，避免反应产物停留在刻蚀箱内，提高硅晶片的刻蚀效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 集成电路 晶片 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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