[发明专利]一种超宽带芯片偏置电路结构有效
申请号: | 202110054427.X | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN112910418B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 徐跃杭;林支慷;吴韵秋 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F3/193 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供一种超宽带芯片偏置电路结构,属于射频微波集成电路技术领域,包括电流源、等效电感、微带线、片上去耦电容和螺旋电感,电流源的一端接地,另一端经等效电感串联微带线,片上去耦电容的一端经螺旋电感接地,另一端连接等效电感和微带线之间的连接线;所述超宽带芯片偏置电路结构可应用于单级射频功率放大器、分布式放大器和低噪声放大器中,在不增加MMIC片上去耦电容的面积的同时,实现了应用超宽带芯片偏置电路结构的MMIC的超宽带性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 宽带 芯片 偏置 电路 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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