[发明专利]双栅极氮化镓MIS-HEMT器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110054671.6 申请日: 2021-01-15
公开(公告)号: CN112802893A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 张元雷;蔡宇韬;梁烨;刘雯;赵策洲 申请(专利权)人: 西交利物浦大学
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335
代理公司: 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 代理人: 叶栋
地址: 215123 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种双栅极氮化镓MIS‑HEMT器件及其制备方法,该双栅极氮化镓MIS‑HEMT器件包括衬底和依次设置在所述衬底上的GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、电子储存层和钝化层,在所述GaN沟道层和AlGaN势垒层的有源区上设有源电极、漏电极和第一栅极,用于调控所述电子储存层中的电子;所述AlGaN势垒层上设有凹槽,所述凹槽上设有第二栅极,用于控制沟道。该双栅极氮化镓MIS‑HEMT器件及其制备方法通过双栅结构对电子储存层充放电从而达到调控氮化镓阈值的办法。
搜索关键词: 栅极 氮化 mis hemt 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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