[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110055667.1 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN113140616A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 洼内源宜 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体装置中优选晶体管等开关元件的阈值电压的变动小。提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面并设置有第一导电型的漂移区；沟槽部，其以从半导体基板的上表面到达漂移区的方式设置；以及台面部，其被夹在沟槽部之间，台面部具有：第二导电型的基区，其设置在漂移区与上表面之间；以及第一区域，其在台面部内的第一深度位置具有氢化学浓度的浓度峰。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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