[发明专利]基于SU-8光阻胶的半导体功率器件及其制备方法和包括其的功率模块有效
| 申请号： | 202110055878.5 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112802802B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 王琮 | 申请（专利权）人： | 王琮 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/56 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 基于SU‑8光阻胶的半导体功率器件及其制备方法和包括其的功率模块，本发明要解决现有半导体功率器件采用等离子体沉积或蚀刻工艺形成无机绝缘材料保护层时，容易在外延层中产生如裂缝损坏的问题。本发明半导体功率器件中在衬底上形成半导体叠层结构，在半导体叠层结构上互相隔离布置有源极和漏极；在半导体叠层结构上，介于源极和漏极之间设置有栅极；第一钝化层布置在栅极和半导体叠层结构之间，第二钝化层形成在栅极和半导体层的叠层结构上，第一钝化层和第二钝化层均包括光致光阻胶。本发明半导体功率器件中包括光致光阻胶的钝化层，能防止等离子体或蚀刻工艺对器件的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 su 光阻胶 半导体 功率 器件 及其 制备 方法 包括 模块 | ||
【主权项】：
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