[发明专利]一种宽带高效GaN内匹配功率管在审
| 申请号： | 202110057384.0 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112737525A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 钟世昌;时晓航;景少红;王帅;李飞;曹建强;杨文琪 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56;H03F3/21 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 严海晨 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型宽带高效GaN内匹配功率管，其输入、输出均采用多级阻抗变换形式的带通匹配网络，将匹配元件制作在陶瓷基片上；在靠近GaN HEMT管芯栅端位置通过并联一段电感、电容、电阻串联电路到地与GaN HEMT的Cgs串联电阻Rin组成一个并联谐振网络。通过优化使得该网络在基波频带内形成并联谐振，使输入阻抗在较宽的频带内实现效率匹配；同时该网络引入一定损耗，减小了低频增益，有效提高了放大器稳定性，改善驻波，并且扩展了带宽。引入串联电阻Rin，可以提升输入阻抗，阻抗的提升利于对大功率GaN HEMT器件实现宽带阻抗匹配。本发明有效的减小了GaN HEMT器件宽带匹配的实现难度，使得宽带高效GaN功率管的使用愈加广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 高效 gan 匹配 功率管 | ||
【主权项】：
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