[发明专利]双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用有效
| 申请号： | 202110059235.8 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112769037B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;傅廷;周旭彦;贾宇飞;陈静瑄;王宇飞;王学友;齐爱谊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/40;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用，双边耦合超对称半导体激光器阵列包括：主阵列，由一个或者多个相连的第一波导单元构成，至少一个第一波导单元有电流注入并提供增益促使基超模激射；第一副阵列和第二副阵列，第一副阵列和第二副阵列均由一个或者多个相连的第二波导单元构成，用于产生本征损耗并耗散高阶超模，第一副阵列和第二副阵列分别位于主阵列两侧。本发明提供的双边耦合超对称半导体激光器阵列，通过超对称变换构建已知主阵列的两个副阵列并将两个副阵列放在其两侧，使得高阶超模的损耗提升而减小基超模的损耗，从而获得以基超模为主的激光输出，减小激光器的水平发散角，提高激光器的侧向光束质量。 | ||
| 搜索关键词： | 双边 耦合 对称 半导体激光器 阵列 构建 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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