[发明专利]一种半导体晶圆扩晶器在审
| 申请号： | 202110060013.8 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112864070A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 陶汉成 | 申请（专利权）人： | 陶汉成 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 455000 河南省安阳*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆扩晶器，其结构包括第一气缸、机架、上圆盘、支撑底座、固定框架、第二气缸、加热器、发热圆盘，固定框架上焊接有四个机架，机架上端焊接有矩形板，在矩形板的上方安装有第一气缸，第一气缸与上圆盘机械连接，上圆盘与发热圆盘、支撑底座呈上下相对，本发明矫位装置与发热圆盘相配合，矫位装置通过设置的伸缩气缸带动矫位盘不断的朝向发热圆盘的中心位置移动，在矫位盘的同步移动中将便宜发热圆盘中心位置的晶片调整到正中间的位置，使膜均匀受热。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶圆扩晶器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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