[发明专利]氮极性面GaN材料及同质外延生长方法在审
| 申请号： | 202110060278.8 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112750691A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;李蓝星;姚佳佳;杨雪妍;孙志鹏;张赫朋;刘芳;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20;H01L29/778;H01L29/861 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮极性面GaN材料及其制作方法，主要解决现有氮极性面GaN材料位错密度高、表面形貌差、非故意掺杂背景载流子浓度高、生长工艺控制难度大的问题。其材料结构自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、GaN外延层(3)，其中过渡层采用InAlN或ScAlN或YAlN，衬底采用非斜切面的氮极性面氮化镓单晶。其制作步骤为：在衬底基片上，利用分子束外延方法生长厚度为1nm‑10nm的过渡层；用分子束外延方法，在过渡层上生长GaN外延层。本发明材料结晶质量高，表面形貌光滑，背景载流子浓度低，生长工艺简单，工艺重复性和一致性高，可用于制作高电子迁移率晶体管和高速微波整流二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 gan 材料 同质 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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