[发明专利]一种可均匀溅射旋转硅靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 202110060541.3 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112899628A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 林志河 | 申请（专利权）人： | 福建阿石创新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C4/131;C23C4/04 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘潇 |
| 地址： | 350200 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可均匀溅射旋转硅靶材及其制备方法，属于硅靶材技术领域。本发明提供的可均匀溅射旋转硅靶材自内而外包括衬管、位于所述衬管外表面的自粘结层、位于所述自粘结层表面两端的第一磁性材料层和第二磁性材料层、以及硅外层；所述第一磁性材料层靠近自粘结层的第一端口且距离自粘结层的第一端口外缘3～5mm，所述第二磁性材料层靠近自粘结层的第二端口且距离自粘结层的第二端口外缘3～5mm。本发明通过在自粘结层表面两端设置磁性材料层，能够抵消在磁控溅射过程中磁棒两端产生的磁场，从而降低两端溅射速率，使硅靶材两端使用程度和中间保持一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 溅射 旋转 硅靶材 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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