[发明专利]集成式组合件和形成集成式组合件的方法在审
申请号: | 202110060788.5 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN113257827A | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | V·沙马娜;徐丽芳;A·R·威尔逊 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请案涉及集成式组合件和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含一种集成式组合件,其包括存储器阵列区、台阶区以及处于所述台阶区和所述存储器阵列区之间的中介区。所述中介区包含延伸穿过交替绝缘层级和导电层级的堆叠的第一和第二绝缘材料板条。桥接区与所述板条相邻。第一狭缝沿着所述桥接区,且第二狭缝延伸穿过所述板条。第一面板处于所述第一狭缝内,且第二面板处于所述第二狭缝内。所述第二面板在组成上不同于所述第一面板。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。 | ||
搜索关键词: | 集成 组合 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的