[发明专利]一种晶体制备装置有效
| 申请号： | 202110061860.6 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112899782B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 杨亦龙;徐开东;毛艳丽;陈乐乐;刘思霖;苏箐;李山鹰 | 申请（专利权）人： | 河南城建学院 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人： | 王鸿 |
| 地址： | 467036 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体制备装置，包括：长晶炉，长晶炉包括绝热炉壁、坩埚主体和中频加热线圈，绝热炉壁围成一生长腔室，坩埚主体设置于生长腔室内，中频加热线圈绕置于坩埚主体外围，坩埚主体用于盛装待结晶的SiC原料；绝热炉壁上部设置有用于密封生长腔室的绝热滑动盖体，绝热滑动盖体的轴线方向穿过一SiC籽晶夹具，一端位于生长腔室内，另一端位于生长腔室外，并部分伸入至一散热通道中；不仅能够防止碳化硅原料表面的碳化现象，还能防止由感应磁场波动所导致加热温度超过籽晶或生成的碳化硅单晶的升华温度所造成的生成的碳化硅晶体消耗，另外还可以有效避免碳化硅原料中的大颗粒金属杂质以及硅包裹体等对最后生成的碳化硅单晶所造成的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 制备 装置 | ||
【主权项】：
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