[发明专利]2.5D封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110061966.6 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112908867A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘军;曹立强;徐成;孙鹏;耿菲 | 申请（专利权）人： | 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种2.5D封装结构及其制作方法，包括：制备硅转接板，在所述硅转接板的正面形成第一电性引出结构；通过第一电性引出结构进行晶圆级倒装贴片；在所述硅转接板的正面进行晶圆塑封工艺，形成塑封层；减薄塑封层，以使所述硅转接板厚度均匀；在对应的晶圆切割道位置切割所述塑封层，直到暴露出所述硅转接板的正面为止；通过金属溅射工艺或电镀工艺，在塑封层的表面形成电磁屏蔽层；通过临时键合工艺，在硅转接板的背面形成第二电性引出结构；切割所述硅转接板形成多个芯片封装体；将所述芯片封装体通过第二电性引出结构附连至基板。 | ||
| 搜索关键词： | 2.5 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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