[发明专利]一种高熵氧化物薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110062277.7 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112899629B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 孙森;王长安;米玲仁;江伟;劳秀敏;劳远侠;刘乐平;李媛媛;姚华 | 申请（专利权）人： | 南宁师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;B01J23/80;B01J37/34;H01M4/131;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵琪 |
| 地址： | 530001 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高熵氧化物薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜技术领域。包括以下步骤：分别将Co金属板材、Ni金属板材、Cu金属板材和Zn金属板材切割，得到Co扇形金属片、Ni扇形金属片、Cu扇形金属片和Zn扇形金属片；将所述Co扇形金属片、Ni扇形金属片、Cu扇形金属片和Zn扇形金属片拼成圆柱体靶材，得到多金属混合靶；在真空条件下，以所述多金属混合靶为靶材，对单晶硅基底进行射频磁控溅射，得到所述高熵氧化物薄膜。本发明制得的高熵氧化物薄膜在室温具有铁磁性，该薄膜是一种同时含Co、Ni、Cu、Zn四种阳离子的单一岩盐结构薄膜，在常温下具有较高的饱和磁化强度和较小的矫顽力，呈典型的软磁材料特征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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