[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及其制造方法；其中，方法包括：提供层叠在衬底上的第一子堆叠结构；所述第一子堆叠结构包括若干间隔排列的第一介质层和第二介质层；第一子沟道孔穿过所述第一子堆叠结构；在所述第一子沟道孔中形成第一牺牲层；其中，在形成所述第一牺牲层后，所述第一子沟道孔的侧壁中所述第一子堆叠结构顶部的第一介质层的部分裸露，且所述第一子堆叠结构中除顶部的第一介质层之外的其余的第一介质层的部分不裸露；对所述顶部的第一介质层进行第一刻蚀，去掉部分所述顶部的第一介质层，以增大裸露的侧壁部分对应的径宽；其中，在进行所述第一刻蚀时，刻蚀物质对所述第一介质层的刻蚀速度大于对所述第一牺牲层的刻蚀速度。