[发明专利]一种半导体工艺腔室在审
| 申请号： | 202110062620.8 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112820616A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李岩;郭士选;茅兴飞 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/305 | 分类号： | H01J37/305;H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体工艺腔室，包括腔室、壳体、介质窗、线圈、热风罩和风道，壳体罩设在腔室上，介质窗位于壳体内并位于腔室的开口上，热风罩位于壳体内，线圈设于壳体内顶壁，风道与壳体固定，风道的通气端位于壳体外，风道的转接端位于壳体内，并与热风罩的风道口相连，本申请通过将热风罩与介质窗直接固定，并与内顶壁之间形成避让间隙，避免热风罩和壳体之间的相互挤压，进而避免壳体内顶壁应挤压变形造成线圈结构破坏，确保离子和自由基的分布均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
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