[发明专利]相变存储装置及其制作方法有效
| 申请号： | 202110063237.4 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112786784B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 杨海波;刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储装置及其制作方法。本发明通过在所述相变存储装置所包括的可变电阻层中掺杂有晶种掺杂物，可以加快结晶速度，并且进一步通过使所述晶种掺杂物在所述可变电阻层中具有梯度变化，可以稳定所述可变电阻层的阻值变化，降低代表存储值的阻值态的阻值发生偏差的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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