[发明专利]用于在导电材料沉积期间抑制线路弯曲的方法及有关设备在审
| 申请号： | 202110067202.8 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN113257668A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | G·S·桑胡;M·米洛耶维奇;J·A·斯迈思;T·A·奎克;S·C·潘迪 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请案涉及用于在导电材料沉积期间抑制线路弯曲的方法及有关设备。形成结构的方法包括形成从基础结构垂直地延伸的细长特征的图案。在所述细长特征上形成导电材料。在完成形成细长特征的所述图案之后，使所述细长特征、所述导电材料或两者暴露于至少一种表面处理气体。所述至少一种表面处理气体包括至少一个物种，所述至少一个物种经配制以减少所述导电材料的表面处的吸引或内聚力。还描述设备及额外方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 导电 材料 沉积 期间 抑制 线路 弯曲 方法 有关 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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