[发明专利]一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法有效
| 申请号： | 202110068006.2 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112802735B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 李彭瑞;任春江;潘斌;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 严海晨 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，包括步骤一：对半导体晶圆采用酸液进行预洗；步骤二：采用高压二流体碱溶液进行冲洗；步骤三：采用酸溶液进行清洗；步骤四：采用高压二流体碱溶液进行冲洗；步骤五：采用碱溶液进行超声清洗；步骤六：清洗干燥。本发明能够对半导体晶圆刻蚀后进行彻底清洗，又因其具有操作工艺简单、方便、可重复性强等优点，可适合大批量工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 刻蚀 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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