[发明专利]一种深孔图形光刻胶填充方法在审
| 申请号： | 202110068018.5 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112802765A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李彭瑞;潘斌;任春江;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 严海晨 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种深孔图形的光刻胶填充方法，通过表面处理使圆片表面和深孔侧壁及底部形成一层薄氧化层，利用溶剂与该氧化层的接触角小于90°，使得溶剂对深孔的侧壁和底部具有良好的浸润性，从而实现对深孔的无孔化填充，其包括以下步骤：采用表面处理的方式使晶圆表面和深孔侧壁及底部形成一层薄氧化层；采用溶剂对深孔图形进行浸润并第一次填充；采用光刻胶对深孔图形进行第二次填充；对晶圆进行烘烤固化进而完成深孔图形填充。优点：溶剂不仅可以对深孔内外表面进行良好的浸润，同时还可以进行填充，有利深孔内空气的逃逸；另外溶剂与光刻胶有较好的互溶性，有利于光刻胶在旋涂时对深孔的填充，从而得到填充完整的深孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 光刻 填充 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110068018.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
