[发明专利]一种碳纳米管-石墨烯共价异质结隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 202110068578.0 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112909092B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 周文利;朱宇;程丽;龚清峰;庄严 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/165;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳纳米管‑石墨烯共价异质结隧穿场效应晶体管，属于隧穿场效应晶体管技术领域，包括：栅区，源区，漏区，沟道区；所述沟道区包括沿源区至漏区方向依次排布的沟道一段、沟道二段和沟道三段；所述沟道一段和沟道三段均为弯曲的zigzag型石墨烯纳米带，所述沟道二段为碳纳米管；所述源区与漏区均为armchair型石墨烯纳米带；所述源区、漏区以及沟道区组成石墨烯‑碳纳米管共价异质结。如此，在隧穿晶体管处于开态时，armchair型石墨烯(源区)中电子能够通过无带隙的zigzag型石墨烯直接输运到碳纳米管(沟道)；此时，碳纳米管沟道与armchair型石墨烯之间不存在隧穿势垒，电子从源区输运到沟道的几率大大增加，隧穿晶体管器件的开态饱和电流增加一个量级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 石墨 共价 异质结隧穿 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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