[发明专利]制程设备及制程方法有效
| 申请号： | 202110068749.X | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112885745B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 马克 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种制程设备及制程方法，其中，制程设备包括：反应室，用于对置于反应室中的晶圆进行表面处理工艺，表面处理工艺用于去除晶圆表面的污染层；承载台，位于反应室内，用于承载晶圆或载板；反应室上具有第一进气通道和第二进气通道；第一进气通道用于向反应室内通入反应气体，反应气体用于执行表面处理工艺；在两次表面处理工艺之间，第二进气通道用于向反应室内通入清洗气体，清洗气体用于清洗反应室；本发明实施例旨在于在机台持续去除介质层表面的氧化污染过程中，改善机台内部腔室的状态，从而提高晶圆产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
