[发明专利]使用底部击穿电流路径的雪崩保护晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 202110069074.0 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN113540243A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 苏亮宇;蔡宏智;柳瑞兴;雷明达;杨彰台;夏德殷;钟于彰;杨南盈 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种雪崩保护场效晶体管在半导体衬底内包括：主体半导体层及经掺杂主体接触区，具有第一导电类型的掺杂；以及源极区、漏极区，具有第二导电类型的掺杂。隐埋的第一导电类型阱可位于半导体衬底内。隐埋的第一导电类型阱位于漏极区之下，且在平面图中与漏极区具有面积交叠，且在垂直方向上与漏极区间隔开，并且具有比主体半导体层高的第一导电类型的掺杂剂的原子浓度。场效晶体管的配置在雪崩击穿期间诱导超过90％的碰撞电离电荷从源极区流动、穿过隐埋的第一导电类型阱、并撞击在漏极区的底表面上。另提供一种形成半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 底部 击穿 电流 路径 雪崩 保护 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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