[发明专利]一种适用于MOSFET器件的仿真模型装置在审
| 申请号： | 202110069292.4 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112906327A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘海涛;吴鸣;张海;熊雄;孙丽敬;李蕊;徐旖旎;邵瑶 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司聊城供电公司 |
| 主分类号： | G06F30/33 | 分类号： | G06F30/33 |
| 代理公司： | 北京工信联合知识产权代理有限公司 11266 | 代理人： | 夏德政 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于MOSFET器件的仿真模型装置，属于电力电子与电力传动技术领域。本发明装置，包括：控制信号延时子电路，所述控制信号延时子电路接入控制信号及电流，并根据控制信号控制电流流入稳态子电路；稳态子电路，所述稳态子电路接入电流后，模拟MOSFET器件的开通及关断过程中漏源极电压及电流的变化，输出断态时漏源极电压及通态时漏源极电流；开通暂态子电路，所述开通态子电路以断态时漏源极电压作为控制对象，模拟MOSFET器件开通过程的漏源极电压；关断暂态子电路，所述关断暂态子电路以通态时漏源极电流作为控制对象，模拟MOSFET器件关断过程的漏源极电流。本发明体现了SIC MOSFET稳态工作特性及开通瞬态特性与关断瞬态特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 mosfet 器件 仿真 模型 装置 | ||
【主权项】：
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