[发明专利]一种掺硼金刚石薄膜电极复合基体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110070136.X 申请日: 2021-01-19
公开(公告)号: CN112919587B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 李小安;徐金昌;訾蓬;赵小玻;王传奇;曹延新;王忠伟;张阁 申请(专利权)人: 山东欣远新材料科技有限公司;中材人工晶体研究院(山东)有限公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C02F1/461;C02F1/467;C02F1/72;B22F7/06;B22F10/38;B33Y10/00;B33Y80/00
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 代理人: 洪秀凤
地址: 250200 山东省济南市章丘市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种掺硼金刚石薄膜电极复合基体,包括基体下部和位于基体下部上表面的用于沉积掺硼金刚石薄膜的基体上部;基体下部为陶瓷材料,基体上部为金属材料;基体下部上表面设置凹槽,基体上部下表面设置与凹槽匹配的凸出部,凹槽用于卡设凸出部。本发明基体上部的凸出部卡设于基体下部的凹槽中,两者相互配合,增强不同材质的基体上部与基体下部的结合性。本发明基体上部为沉积掺硼金刚石薄膜的部分,基体下部用于提供力学支撑,增强基体承受流体冲刷的能力。本发明基体下部为陶瓷材料,耐腐蚀性强,基体上部沉积掺硼金刚石薄膜后,耐腐蚀性弱的基体上部与流体被掺硼金刚石薄膜隔离,复合基体整体耐腐蚀性得到提高,使用寿命长。
搜索关键词: 一种 金刚石 薄膜 电极 复合 基体 及其 制备 方法
【主权项】:
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