[发明专利]一种双向瞬态电压抑制器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202110073131.2 申请日: 2021-01-20
公开(公告)号: CN112838119B 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 祁树坤;吴相俊;苗迎秋;刘钰 申请(专利权)人: 无锡力芯微电子股份有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L27/02
代理公司: 无锡知更鸟知识产权代理事务所(普通合伙) 32468 代理人: 张涛
地址: 214028 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种双向瞬态电压抑制器,包括:第一掺杂类型的半导体衬底;第二掺杂类型的外延层,所述的外延层位于半导体衬底上表面,第二掺杂类型与第一掺杂类型不同;深槽隔离环,所述的深槽隔离环从外延层的上表面穿过外延层延伸至所述半导体衬底中;杂质层,所述的杂质层位于非隔离环区域中,且从外延层的上表面延伸至外延层内,最中间的杂质层为第二掺杂类型,相邻杂质层的掺杂类型不同,所述的杂质层之间电学连接;浅栅槽,每个非隔离环区域中包含多个浅栅槽,所述的浅栅槽从杂质层上表面穿过杂质层延伸至外延层中,并与半导体衬底阴极电学连接。本发明能够有效提升正向浪涌时的电流泄放能力。
搜索关键词: 一种 双向 瞬态 电压 抑制器 及其 制造 方法
【主权项】:
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