[发明专利]一种基于电场分布调控的高增益紫外雪崩探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110074074.X 申请日: 2021-01-20
公开(公告)号: CN112864269A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 于吉;田宁 申请(专利权)人: 沈阳师范大学
主分类号: H01L31/107 分类号: H01L31/107;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人: 甄玉荃
地址: 110034 辽宁省沈*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种基于电场分布调控的高增益紫外雪崩探测器,该探测器为Ag纳米颗粒修饰的Au/MgO/ZnO/Al结构的ZnO肖特基型紫外雪崩探测器;包括衬底层,所述衬底层上设有紫外光吸收层ZnO薄膜,在ZnO薄膜的一侧设有载流子雪崩倍增层MgO介电薄膜,所述ZnO薄膜和MgO介电薄膜上分别设有铝电极和金电极,其中ZnO薄膜上还设有Ag纳米颗粒修饰层。本发明所设计的器件结构有利于将电场限定在倍增层,从而有利于在倍增层中实现高电场,由于高电场能够实现载流子的高雪崩增益,因此在该结构中能够实现高增益的ZnO紫外雪崩探测器。本发明与已有的ZnO紫外雪崩探测器相比,具有高增益的优点,进而将达到实现高性能ZnO紫外雪崩探测器的目的。
搜索关键词: 一种 基于 电场 分布 调控 增益 紫外 雪崩 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
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