[发明专利]一种基于电场分布调控的高增益紫外雪崩探测器及其制备方法在审
申请号: | 202110074074.X | 申请日: | 2021-01-20 |
公开(公告)号: | CN112864269A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 于吉;田宁 | 申请(专利权)人: | 沈阳师范大学 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110034 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于电场分布调控的高增益紫外雪崩探测器,该探测器为Ag纳米颗粒修饰的Au/MgO/ZnO/Al结构的ZnO肖特基型紫外雪崩探测器;包括衬底层,所述衬底层上设有紫外光吸收层ZnO薄膜,在ZnO薄膜的一侧设有载流子雪崩倍增层MgO介电薄膜,所述ZnO薄膜和MgO介电薄膜上分别设有铝电极和金电极,其中ZnO薄膜上还设有Ag纳米颗粒修饰层。本发明所设计的器件结构有利于将电场限定在倍增层,从而有利于在倍增层中实现高电场,由于高电场能够实现载流子的高雪崩增益,因此在该结构中能够实现高增益的ZnO紫外雪崩探测器。本发明与已有的ZnO紫外雪崩探测器相比,具有高增益的优点,进而将达到实现高性能ZnO紫外雪崩探测器的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 电场 分布 调控 增益 紫外 雪崩 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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