[发明专利]一种高热导、净尺寸氮化硅陶瓷基片的制备方法有效
| 申请号： | 202110074294.2 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112830797B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张辉;刘学建;蒋金弟;姚秀敏;黄政仁;陈忠明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/593 | 分类号： | C04B35/593;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高热导、净尺寸氮化硅陶瓷基片的制备方法，包括：（1）将氮化硅粉和硅粉中至少一种作为原始粉体、烧结助剂、分散剂、消泡剂、粘结剂和增塑剂在保护气氛中混合后，再经真空脱气，得到混合浆料；（2）在氮气气氛中进行流延成型和干燥，得到第一素坯；（3）将所得第一素坯进行整形预处理，得到第二素坯；（4）将所得第二素坯在微正压的氮气气氛中、500～900℃下进行脱粘，得到第三素坯；（5）将所得第三素坯置于氮气气氛中、1800～2000℃下进行气压烧结，得到所述高热导、净尺寸氮化硅陶瓷基片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高热 尺寸 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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