[发明专利]一种嵌入式电极结构LED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110074335.8 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112864292A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 刘新年 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种嵌入式电极结构LED器件及其制备方法。所述嵌入式电极结构LED器件包括从下到上依次排列的第二硅衬底、键合层、第一钝化层、金属层、反射镜层、p‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层和第二钝化层；LED器件的p电极与n电极以嵌入式电极的形式均匀分布在器件内部的孔状结构中，p电极与n电极的pad引出电极位于器件出光面的背面。本发明还提供了嵌入式电极结构LED器件的制备方法。本发明提供的嵌入式电极结构LED器件有效提高了器件的光提取效率、有利于电流扩展、具有优异的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 电极 结构 led 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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