[发明专利]一种高性能氮化硅陶瓷基片的批量化烧结方法有效
| 申请号： | 202110075093.4 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112811912B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张辉;刘学建;蒋金弟;姚秀敏;黄政仁;陈忠明;黄健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/645;C04B35/638;C04B35/65 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高性能氮化硅陶瓷基片的批量化烧结方法，包括：（1）将氮化硅陶瓷基片素坯叠放在氮化硼坩埚中，且在相邻氮化硅陶瓷基片素坯之间涂敷一层氮化硼粉体；（2）分步骤抽真空后，在氮气气氛或还原性气氛中、500～900℃下进行脱粘；（3）然后在氮气气氛中、1800～2000℃下气压烧结，实现高性能氮化硅陶瓷基片的批量化制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 氮化 陶瓷 批量 烧结 方法 | ||
【主权项】：
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