[发明专利]电子装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110075162.1 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN112951843A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 黄景亮;叶家宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;孟超 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电子装置及其制造方法。电子装置包括基板、第一主动元件、第二主动元件、保护层以及控制电极。第一主动元件与第二主动元件位于基板上。第一主动元件包括第一源极区、第一通道区、第一漏极区、第一栅极、第一源极与第一漏极。第二主动元件包括第二源极区、第二通道区、第二漏极区、第二栅极、第二源极与第二漏极。第一通道区的材料不同于第二通道区的材料。第一源极区、第一漏极区、第二源极区与第二漏极区的材料相同。控制电极电性连接第二漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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