[发明专利]基于ARM的电容极板微位移产生系统在审

专利信息
申请号: 202110075456.4 申请日: 2021-01-20
公开(公告)号: CN112904773A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 李武森;夏弘禹;陈文建 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042;G01D5/241;G01B7/02
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱炳斐
地址: 210094 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于ARM的电容极板微位移产生系统,包括电压转换模块,用于为其他各部分提供工作电源;位移控制模块,用以ARM架构的STM32单片机为核心,通过移植实时操作系统完成图形用户界面的搭建,进行参数输入、位移控制操作并提供位移状态反馈;电机驱动模块,用于设置位移步长,并在接收到位移控制模块的位移控制信号与指令后发送驱动信号至微位移平台;微位移平台,用于根据驱动信号产生线性位移;差分电容极板,用于将微位移平台产生的位移量转换为电容的变化,为外部电容传感器测试电路提供可供测试的电容。本发明具有位移精确、易控制、反馈及时等特点,适用于对主动光学中电容式微位移传感器进行测试。
搜索关键词: 基于 arm 电容 极板 位移 产生 系统
【主权项】:
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