[发明专利]一种碳化硅单晶的液相生长装置及液相生长方法在审
| 申请号： | 202110075714.9 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112921399A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 马远;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B15/12;C30B15/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 夏苗苗 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶的液相生长装置及液相生长方法，所述装置包括：第一生长组件，容纳有第一坩埚，所述第一坩埚用于为所述碳化硅单晶提供液相生长场所；第二生长组件，容纳有第二坩埚，所述第二坩埚内设有盛放原料碳的空间；石墨管组件，所述第一坩埚和所述第二坩埚通过所述石墨管组件连接形成通路，硅溶液和所述碳经所述通路在所述第一坩埚和所述第二坩埚中流动扩散，并在所述第一坩埚内形成所述碳在所述硅溶液中的过饱和溶液，以液相生长得到所述碳化硅单晶。根据本发明可以有效地解决碳在溶硅溶液中溶解度过低，晶体无法长大的问题，而且有效地改善了碳化硅单晶的位错缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 相生 装置 方法 | ||
【主权项】：
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