[发明专利]半导体元件结构在审
| 申请号： | 202110076018.X | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN113257784A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构具有一第一导电结构与一第二导电结构、一第一导电栓塞与一第二导电栓塞、一第一间隙子、一蚀刻终止层以及一第一层间介电层，该第一导电结构与该第二导电结构设置在一半导体基底上的不同垂直高度处，该第一导电栓塞与该第二导电栓塞对应设置在该第一导电结构与该第二导电结构上，该第一间隙子设置在该第一导电栓塞的一侧壁表面上，该蚀刻终止层设置在该半导体基底上，其中该蚀刻终止层邻接该第一间隙子，该第一层间介电层设置在该蚀刻终止层上，并紧邻该第一导电栓塞，其中该第一层间介电层与该第一间隙子以一气隙而相互间隔设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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